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同时挑战台积电与索尼,三星拼了!

章鹰 2019-05-15 10:31 次阅读

三星电子的投资计划和宏伟目标

2019年4月24日,三星电子公布了未来的投资计划和目标。三星电子的投资计划,将在未来12年内(1999年至2030年)将投资133万亿韩元(约1200亿美元)加强系统LSI和晶圆代工业务方面的竞争力,扩大非存储器业务。其中:73万亿韩元(约660亿美元)的国内研发,60万亿韩元(约540亿美元)的生产基础设施,预计每年平均投资11万亿韩元(约100亿美元)。

总体来说,三星电子的目标就是:保持存储芯片全球第一的位置的同时,在晶圆代工领域挑落台积电,在CMOS图像传感器领域击败索尼,在营收方面维持对英特尔的领先,坐稳全球第一大半导体厂商的宝座。

三星电子半导体事业部发展历程

三星电子有限公司半导体事业部是指元件解决方案事业群(Device Solution Business)下面的内存部门(Memory)、系统逻辑部门(SystemLSI)和晶圆代工部门(Foundry);其中内存包括DRAM、NAND Flash,系统逻辑芯片包括系统级芯片SOC、图像传感器CIS、显示驱动芯片、智能卡芯片、电源管理芯片。

三星电子半导体事业部年收入占三星电子总收入的30%左右,对三星电子公司旗下的信息和手机(IT&Mobile)、消费类电子产品(Consumer Electronics)两大事业部的终端产品而言,是拉大后位竞争者距离,缩小前方领先者差距,并强化重点终端产品差异化程度的重要角色。

三星电子成立于1969年,1974年通过收购韩泰半导体公司(Hankook Semiconductor)50%的股份,成立半导体事业部,开始进军半导体产业;1975年开发出手表芯片;1977年7月开始生产双极晶体管;1979年收购全资拥有韩泰半导体,并更名三星半导体;1983年正式进军存储器行业,开发出韩国第首个64K DRAM;1988年半导体业务和电子及无线通讯业务合并成立三星电子;1994年开始研发DSP;1995年推出第一个8位MCU;1997年推出700MHz Alpha处理器;2000年发布0.25m 66MHz手机应用处理器S3C44B0X;2002年成立SoC研发中心;2005年进入CMOS传感器领域,并开始晶圆代工业务。

三星半导体在全球拥有七大生产基地,分别位于韩国器兴、韩国华城、韩国安阳、韩国平泽、美国奥斯汀、中国苏州、中国西安。

三星电子半导体事业部目前是全球最大的存储芯片制造商,2018年位居全球营收排行榜第一位。

强化晶圆代工,挑落台积电

1.三星电子晶圆代工发展历程

2005年,三星电子开始进入12英寸逻辑工艺晶圆代工领域,至今已经整整15年了,通过专注于先进的工艺节点,致力为客户提供最优化的产品和服务,目前晶圆代工业务已经成长为面向全球FABLESS产业的低功耗、高性能SOC的代工公司之一。

从2005年到2009年,三星电子的年代工营收不足4亿美元。到2010年啃上苹果(Appple),开始代工苹果A系列处理器(包括A4、A5、A6、A7),代工营业收入出现爆长,2010年整体代工收入激增至12亿美元(其中苹果A系列处理器产品代工收入达8亿美元)。由于苹果手机等移动终端产品出货激增,三星电子的晶圆代工营收水涨船高,到2013年达到39.5亿美元,当年苹果的代工收入占到公司代工总收入的86%。可以说2010--2013年三星电子的代工营收完全是靠苹果在支撑。

由于20纳米工艺制程良率无法突破等多方面的原因,2014年三星电子失去苹果A系列处理器订单,苹果A8处理器全部交由台积电(TSMC)代工;2015年好不容易抢到A9处理器部分订单,但由于良率和功耗控制不如台积电,导致2016年的A10处理器又全部由台积电包圆。由于失去苹果这个大客户,导致2014年和2015年晶圆代工营收出现下滑。

为了填补产能,三星电子代工部门积极出击,抢下高通(Qualcomm)应用处理器和服务器芯片、超微半导体(AMD)的微处理器芯片、英伟达(Nvidia)的图形处理芯片、安霸(Ambarella)的视觉处理芯片、特斯拉Tesla)的自驾系统芯片的订单,得以弥补苹果跑单的窘境。2016年营收达到44亿美元,超过2013年的水平,创下三星电子晶圆代工营收的新纪录。

2.晶圆代工拆分

2017年5月12日,三星电子宣布调整公司业务部门,将晶圆代工业务部门从系统LSI业务部门中独立出来,成立三星电子晶圆代工。据悉,新部门主要负责为全球客户--高通和英伟达等--制造非存储芯片,从而与以台积电为首的纯晶圆代工公司竞争。

根据市场研究公司IC Insights的数据显示,三星电子2017年晶圆代工营收达46亿美元,在全球晶圆代工市场以6%的市占率排名第四,前三分别是台积电(TSMC)的56%,格芯半导体(GlobalFoundries)的9%,联电(UMC)的8.5%;2018年晶圆代工营收达100亿美元,市占率达14%,排名全球第二。

2018年三星电子排名全球第二大晶圆代工公司,并非业绩大增,实乃拆分部门导致。原因是晶圆代工部门自立门户,不再隶属于系统LSI业务。所以现在包括处理器芯片(Exynos等)、CIS图像传感器、显示驱动芯片、电源管理芯片的生产收入都算作晶圆代工部门营收,因此营收一路高涨,市占率一夕飙高。

但千万别因此就小瞧三星的晶圆代工。

下面我们来谈谈三星电子的晶圆代工的产能和工艺等情况。

3.晶圆代工工厂和产能

截止2018年底,三星电子晶圆代工专属线有5条,包括4条12英寸和1条8英寸。

韩国器兴(Kiheung)的S1,建成于2005年,是三星首条12英寸逻辑代工生产线,目前量产65纳米至8纳米低功耗芯片,产品主要用于计算机网络、智能手机、汽车、以及日益成长的物联网市场等。

美国奥斯汀(Austin)的S2是由原8英寸厂改造而来;2010年8月开始洁净室建设,2011年4月开始12英寸逻辑产品投产,当年达产43000片;目前量产65纳米至14纳米产品。2010年设立研发中心,旨在为系统LSI部门开发高性能、低功耗、复杂的CPU和系统IP架构和设计。

韩国华城(Hwasung)的S3,是2018年建成投产的12英寸逻辑生产线,目前主要生产10纳米至8纳米产品,将是三星7纳米产品的主力生产厂。

韩国华城的S4,是原DRAM用产线FAB11进行改造,目前CMOS影像传感器(CIS)专用生产线。位于华城的12英寸DRAM产线FAB13也正在加紧改造为CMOS影像传感器专用生产线。

韩国华城的EUV专用产线自2018年2月开工建设以来,正在加紧建设。工厂将投资60亿美元,将于明年下半年完成建设、2020年正式投产。初期以7纳米产品为主,辅以EUV光刻机。

韩国器兴的8英寸晶圆代工线FAB 6于2016年开放,从180纳米到70纳米节点都可涵盖,工艺技术包括嵌入式快闪记忆体(eFlash)、功率元件、影像感测器CIS,以及高电压制程的生产,主要针对韩国本土的FABLESS。

目前,三星电子代工业务可以提供包括65纳米、45纳米、32/28纳米HKMG、14纳米FinFET、10纳米FinFET、7纳米FinFET EUV工艺,客户包括苹果、高通、超微半导体、赛灵思、英伟达、恩智浦(NXP)以及韩国本土公司Telechips等。

到2019年底,三星电子晶圆代工专属线将增至7条,包括6条12英寸和1条8英寸。

4.晶圆代工工艺:追求先进制程永不停歇

2005年三星电子进入晶圆代工业;2006年首个客户签约65纳米;2009年45纳米工艺开始接单,同年11月在半导体研究所成立逻辑工艺开发团队,以强化晶圆代工业务;2010年1月首个推出32纳米HKMG工艺。

由于苹果订单的丢失,三星在工艺研发方面加大投入,试图证明基其技术领先地位。

2014年推出第一代14纳米FinFET工艺,称作14LPE(Low Power Early,低功耗早期),并于2015年成功量产;2016年1月推出第二代14纳米FinFET工艺并量产,称作14LPP(Low Power Plus,低功耗增强),功耗降低15%,用于Exynos 8 OCTA及高通骁龙(Snapdragon)820处理器;2016年5月推出第三代14纳米FinFET工艺并量产,称作14LPC;2016年11月推出第四代14纳米FinFET工艺,称为14LPU(Low PowerUltimate,低功耗终极)。并在14纳米的基础上,推出微缩版11LPP。

2016年10月17日,第一代10纳米FinFET工艺量产,称为10LPE,首款产品是应用处理器Exynos 8895,另一客户就是高通骁龙830,新工艺性能可以提供27%,功耗将降低40%;2017年11月,开始批量生产第二代10纳米FinFET工艺,称为10LPP,性能提高10%,功耗降低15%,首款产品是Exynos 9810,另一客户就是高通骁龙845;2018年6月,推出了第三代10纳米FinFET工艺,称为10LPU,性能再次得以提升。三星电子采用10纳米的三重图案光刻技术。

三星电子强调,10纳米工艺系列(包括8纳米衍生产品)的生命周期很长。8LPP/8LPU在生产工艺转换为EUV光刻技术之前,具有最大的竞争优势。但我们要注意到,台积电10纳米工艺的营收已经逐季下滑,给人已经放弃的感觉。而7纳米工艺制程已经成为台积电第一大营收来源。

那么我们来看看三星电子的10纳米以下工艺的布局情况。

8LPP:8LPP在生产工艺转换为EUV(Extreme Ultra Violet)光刻技术之前,具有最大的竞争优势。结合三星10nm技术的关键工艺流程创新,与10LPP相比,8LPP在性能和门电路密度方面提供了额外的优势。2018年11月成功量产Exynos 9系列(9820)。

7LPP:7LPP将是第一个使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术。这里要强调两点,一是通过和ASML的合作,开发出了250W最大的EUV源功率,这是EUV进入到大量生产中的最重要的里程碑,EUV光刻技术的部署将打破摩尔定律扩展的障碍,为单一的纳米半导体技术的发展铺平了道路;二是关键IP将于2019年上半年完成研发,下半年将进行投产。

5LPE:5LPE将采用三星独特的智能缩放(Smart Scaling)解决方案,将其纳入基于EUV的7LPP技术之上,可实现更大面积扩展和超低功耗优势。

4LPE/LPP:4LPE/LPP是三星电子最后一次应用高度成熟和行业验证的FinFET技术,结合此前5LPE工艺的成熟技术,芯片面积更小,性能更高,可以快速达到高良率量产,也方便客户升级。

3LPP:3LPP将第一次使用全新的MBCFETTM(Multi Bridge Channel FET,多桥接通道场效应晶体管)结构,基于三星电子特有的GAAFET(Gate All Around FET,环绕栅极场效应晶体管)技术。GAAFET需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。预计2020年投入风险性试产。

5、加强封装技术,布局FOPLP

2019年4月,三星电子收购三星电机(SEMCO)的FOPLP业务。三星电子希望作凭籍搭配FOPLP封装技术,再次挑战台积电的InFO,希望抢下2020年苹果A系列处理器的代工订单。

首先我们来了解一下FOPLP。FOPLP是Fan-Out Panel Level Packaging(面板级扇出型封装)的缩写。

据悉,FOPLP可降低封装厚度、增加导线密度、提升产品电性能,面板大工作平台可提高生产效率,可运用于5GAI、生技、自驾车、智慧城市及物联网等相关产品。由于有着成本上的优势,看好面板级扇出型封装技术未来发展。目前积极布局FOPLP的公司除OAST公司安靠(Amkor)、日月光(ASE)/Deca、长电科技(JCET)、纳沛斯(nepes)、力成科技(PTI)、硅品(SPIL)外,还有PCB供应商三星电机(SEMCO)、欣兴电子(Unimicron)。

三星电机(SEMCO,Samsung Electro-Mechanics)成立于1973年,是三星电子的兄弟公司。三星电机主要由四个业务部门组成:元件解决方案部门,生产无源元件,如多层陶瓷电容MLCC)和电感;基板解决方案部门,生产高密度互连板(HDI)、封装基板和RFPCB;模组解决方案部门,生产摄像头模组、WiFi模组;FOPLP部门,2016年新设立,从事面板级扇出型封装技术研发。

三星电子在和台积电争抢苹果A系列处理器订单失利后,痛定思痛,决定成立特别工作小组,目标开发先进封装FOPLP技术,且2018年正式应用于三星智能型手表Galaxy Watch的处理器封装应用中。

于是三星电机于2016年正式成立FOPLP部门,并收购三星面板(Samsung Display)位于韩国天安(Cheonan)的液晶面板厂,进行改造,建设FOPLP生产线,2017年10月开始搬入设备,2018年10月正式量产。

三星电机研发FOPLP最初是用来生产电源管理芯片(PMIC),进入2018年之后,开始为三星Galaxy Watch制造用于应用处理器(AP)芯片,预计2019年全面跨入异质集成、晶圆堆叠的3D SiP系统级封装。

三星电机用于Galaxy Watch的FOPLP有3个重布线层(RDL)和1个背面RDL(Backside RDL)。三星电机表示,将标准的层叠(PoP)结构应用于AP和PMIC的多芯片封装,可以将封装的厚度减少20%以上,从而提高了电气和热性能,并有助于扩大产品的电池容量。

三星电机目前使用510x415mm规格的面板制造FOPLP,800x600mm规格的面板已经开发成功。据悉面板尺寸可以根据客户要求更改。

三星电子收购三星电机的POPLP业务,就是要力拼台积电。三星电机在FOPLP技术投入巨大,已量产的FOPLP-PoP与I-Cube 2.5D先进封装技术,据称可与台积电的InFO、CoWoS封装分庭抗礼。

台积电当年就是凭借InFO、CoWoS封装技术从三星电子手中抢到苹果A系列处理器订单。

规划第二跑道,发力FD-SOI

三星电子是FD-SOI的重要推动力量。

按三星电子官方消息,晶圆业务部门的发展路径从28纳米节点开始分为两条,一条是按照摩尔定律继续向下发展,不断提升FinFET的工艺节点,从14纳米到目前的10纳米,进而转向下一步的7纳米,好像,三星把8纳米以下的数字都用上,8纳米、7纳米、6纳米、5纳米、4纳米、3纳米......

另一条线路就是FD-SOI工艺,从28纳米(28FDS)起步,目前推出18纳米(18FDS)。

不过三星研发FD-SOI的时间不长。2014年5月14日,三星电子从意法半导体(STM)获得了28纳米FD-SOI工艺授权许可,并利用它创建了三星的28FDS工艺。2015年有三星电子代工业务人士透露,晶圆质量已于2014年9月确认,产品质量已于2015年3月确认,说明FD-SOI技术已经完全过关了。

28 FDS于2015年开始投入风险生产,2016年正式大规模量产。据悉目前有超过40种产品,为射频应用、嵌入式MRAM提供达400 GHz以上的最大频率,并可应用于汽车。28FDS有一个1.0伏的Vdd。据悉,三星电子在现有的28FDS基础上,于2017、2018年添加RF与嵌入式非挥发性记忆体(NVM)技术,相比成熟的28LPP+eFlash+RF工艺,28FDS+eMRAM+RF更具竞争力,其速度提升了25%。

18FDS将于2019年下半年开始风险生产,大规模量产要到2020。其特点是后端采用三星的成熟14纳米FinFET(14LPE / 14LPP)相同的BEOL互连,但采用了新的晶体管和FEOL。相比28FDS,18FDS提升了22%的性能(在相同的复杂性和功耗下),降低了37%的功耗(在相同的频率和复杂度下),芯片面积减少了35%。据悉,18FDS也将支持RF和eMRAM,使得三星电子代工服务能满足2020年及以后的5G时代RF和嵌入式存储器的各种应用需求。相比28FDS的Vdd(器件内部的工作电压)为1.0V,而18FDS的Vdd仅为0.8V。

2018年6月,ARM公司和三星电子推出业界首款采用28FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP。2019年3月,ARM公司和三星电子宣布推出采用18FDS的嵌入式MRAM(eMRAM)编译器IP,包括7个内存编译器、3个逻辑库、2个GPIO库(1.8和3.3V)、3个POP IP和eMRAM内存编译器;支持汽车AEC-Q100一级设计要求,并配备ASIL-D支持完整的汽车安全套件

三星电子还利用其在存储器制造方面的技术和规模优势,着力打造eMRAM,以满足未来市场的需求。

2019年3月,三星电子宣布基于28FDS成熟工艺成功规模量产eMRAM(嵌入式磁阻内存),可广泛应用于MCU微控制器、IoT物联网、AI人工智能领域。

更加关键的是,SOI晶圆供应商Soitec于2019年1月22日宣布扩大与三星电子合作,旨在保证FD-SOI晶圆的供应,加强FD-SOI供应链,并保证三星电子终端客户的大批量生产。

目前,三星电子的FD-SOI客户包括意法半导体、恩智浦、亚马逊(Amazon)旗下的Blink等。

三星电子的两大工艺路线FinFETT和FD-SOI已经准备妥当,正在揖门接单。下面我们来看看三星电子的产品情况,包括应用处理器、CMOS图像传感器等,这些产品能否大卖,将极大影响其代工业务的营收。

应用处理器蓄势待发,挑战现有格局

事实上,智能手机应用处理器(AP)芯片领域,能够摆得上桌面就是华为麒麟、苹果A系列、高通骁龙、联发科曦力和三星电子Exynos,当然还有紫光展锐。

但目前Exynos应用处理器只是三星电子自用,而没有大规模外卖。至于原因,归纳网上各种说法,无外乎主要有两个方面:一个是高通的芯片制造由台积电转向了三星,其中交换的条件就是三星的旗舰手机必须要搭载骁龙处理器,这是一个双赢的局面;另一个原因也是三星电子的无奈,那就是基带通信的问题,由于三星电子没有电信CDMA这方面的专利,所以Exynos处理器其实就是通信的残缺版,无法满足一部分用户的需求,所以三星也不得不将部分旗舰的芯片换成高通骁龙。

2016年韩国公平交易委员会(KFTC)宣判高通专利授权模式违反公平竞争原则,并对高通开出8.54亿美元的高额罚单,创下韩国反垄断史上最高罚金记录。为了降低韩国公平交易委员会开出的天价罚单的影响,2018年2月高通与三星签订了长期交叉授权协议,其内容之一便是允许三星电子Exynos应用处理器SoC供给第三方。

三星电子Exynos应用处理器SoC得以外卖,使得三星电子可以打包兜售的方式进军全球应用处理器市场,将充实自家晶圆代工订单需求,大大拉动其晶圆代工业务的营收,并可以练兵旗下先进制程业务。

重整CMOS图像传感器业务,力拼索尼

2018年12月,三星电子设备解决方案(DS)部门通过组织重组,在系统LSI部门下建立了一个“传感器业务团队”,负责LSI事业部内的CMOS图像传感器产品规划和销售,工艺研发由设备解决方案部门的代工部门完成。

CMOS图像传感器(CIS)可将半导体设备中的光转换成电信号,是数码相机和智能手机的标配。近年来,配备多个相机镜头的智能手机越来越流行,CMOS图像传感器的需求也在不断增加,并且随着自动驾驶车辆越来越受欢迎,CMOS图像传感器需求将进一步激增,原因在于CMOS图像传感器可以成为自动驾驶车辆的视神经,识别道路和周围环境的实时变化。

伴随着手机双摄的应用以及被应用于汽车等领域,CMOS图像传感器的增长需求增长迅速。市场研究公司IC Insights预测,到2022年,图像传感器市场市值预计从2018年的137亿美元增加至190亿美元。

三星电子CMOS图像传感器之前默默无闻,2013年推出ISOCELL技术之后,开始奋起直追。根据IC Insights的数据显示,从销售量上看,三星电子CMOS图像传感器份额在2017年的市场占有率已经达到25.4%,和索尼的28.3%的市占率差距已缩小至3个百分点。但从销售额看,索尼CMOS传感器的全球市占率搞达52.2%,遥遥领先于三星电子的19.1%。从销售额的角度看,三星电子的CMOS图像传感器想要追上龙头索尼,还有段不小距离。

不过三星电子认为独创的ISOCELL技术比索尼技术强,2018年6月推出ISOCELL Plus技术。在推出新技术的同时,三星电子正在提升CMOS图像传感器生产能力,表示要超越索尼(Sony),成为市场领导者。事实上,早在2017年三星电子就开始扩充12英寸CMOS图像传感器产能。截止2017年12月三星电子12英寸CMOS图像传感器的产能为每月4.5万组,2017年开始改造12英寸DRAM产线FAB 11,2018年底完成改造;同时对FAB 13进行改造,据悉,FAB 11和FAB 13的产能超过每月7万组,预计2019年底三星电子CMOS图像传感器产能将达12万组,超过索尼影像传感器每月10万组的产能。

三星电子的传感器业务原来主要面向移动终端市场,现在增加了汽车图像传感器。三星电子表示,公司汽车图像传感器符合行业各种严苛的标准,能够承受从40°到105°C的极端温度条件,可满足汽车电子委员会AEC-Q100 2级标准(AEC-Q100 Grade 2)要求,凭借卓越的弱暗电流,即使在极端环境下也能提供优质图像。三星电子强调,公司汽车图像传感器采用先进的成像技术,推动着自动驾驶的创新和安全。

2018年10月,三星电子推出了汽车图像传感器品牌ISOCELL Auto。并向特斯拉提供车辆图像传感器,这是三星电子向汽车企业提供CMOS图像传感器的第一例,对三星电子扩大代工事业的意义非常大。

三星电子的底气:抗压能力强

三星电子一方面在位于华城的S3晶圆厂投入了56亿美元升级,部署7纳米LPP EUV制程技术进行风险试产;一方面投资6万亿韩元(约54亿美元)建设全新的EUV产线,预计2019年竣工,2020年扩大生产规模。

三星电子真是大手笔呀!

不过,这对于在风云诡谲的存储器市场血拼了30多年的三星来说,实在不是个事!逆势加码投资,会是三星电子甩开竞争对手的好时机吗?有专家表示,行业景气不好时,正是内部练兵时。

来自芯思想,本文作为转载分享。

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的头像 工控资料窝 发表于 08-22 14:23 191次 阅读
9月份荣耀会发布荣耀数字系列新机,将邀请李现作为手机代言人

都认为诺基亚倒下了,其实它一直站在世界顶端!没那么张扬了而已

相信大家也都知道,现在的手机市场中存在着很多著名的手机品牌,比如现在全球三大手机厂商华为、苹果和三星....
的头像 工控资料窝 发表于 08-22 14:08 134次 阅读
都认为诺基亚倒下了,其实它一直站在世界顶端!没那么张扬了而已

三星Galaxy Note10发布会正式召开, 8GB+256GB版本售价6599元

8月21日下午16点,国行三星Galaxy Note10发布会正式召开,在会上介绍了三星5G的发展情....
的头像 工控资料窝 发表于 08-22 11:39 395次 阅读
三星Galaxy Note10发布会正式召开, 8GB+256GB版本售价6599元

三星公司展示了三款新的游戏显示器,CRG5支持240赫兹刷新率

现在正是科隆游戏展举办期间,参会的各家公司也都在努力利用这个机会展现自己公司产品的卖点、吸引游戏玩家....
的头像 OFweek工控 发表于 08-22 11:00 374次 阅读
三星公司展示了三款新的游戏显示器,CRG5支持240赫兹刷新率

三星有新动作了,发布了国行版三星Note10+综合实力是相当强悍

最近新品手机市场可谓是颇为热闹,各大厂商新机是一款接着一款发布,一时间许多小伙伴也是有了购机欲望,无....
的头像 ZEALER订阅号 发表于 08-22 10:51 336次 阅读
三星有新动作了,发布了国行版三星Note10+综合实力是相当强悍

三星高管表示该公司在印度高端智能手机市场中的增长率超过了20%

据91mobiles报道,三星高管在接受IANS采访时表示,该公司在印度的高端智能手机市场中的增长率....
发表于 08-22 10:07 19次 阅读
三星高管表示该公司在印度高端智能手机市场中的增长率超过了20%

如何使用板载AD9980模拟接口芯片?

大家好, 我有一个ML507评估平台,我不确定如何使用板载AD9980模拟接口芯片。 我知道它有一个IIC总线 - 我可以使用它来...
发表于 08-22 10:01 38次 阅读
如何使用板载AD9980模拟接口芯片?

在华为强大攻势下,三星还能否稳住第一的宝座?

三星能顶住华为的攻势吗?
的头像 陈翠 发表于 08-22 10:00 170次 阅读
在华为强大攻势下,三星还能否稳住第一的宝座?

5G被视为国家地位争夺战台积电将成为最大赢家

今年5G还停在基础建设,渠道商大联大副总林春杰曾在财报会上直言,城乡间覆盖率要足够且平均,硬件成本、....
发表于 08-22 09:58 44次 阅读
5G被视为国家地位争夺战台积电将成为最大赢家

OPPO推出经典音频产品的合集,秒杀一大波的回忆

最新消息,OPPO官方在昨日放出了一张回顾OPPO公司推出的经典音频产品的合集,从最开始的mp3,m....
的头像 芯论 发表于 08-22 09:33 203次 阅读
OPPO推出经典音频产品的合集,秒杀一大波的回忆

spartan 3a入门套件板中DDR2内存芯片的工作频率是多少?

大家好, 什么是spartan 3a入门套件板中DDR2内存芯片的工作频率? 谢谢, randeel。...
发表于 08-22 09:18 24次 阅读
spartan 3a入门套件板中DDR2内存芯片的工作频率是多少?

TP4056锂电池充电器芯片的数据手册免费下载

TP4056是一款单节锂离子电池恒流/恒压线性充电器,采用底部带散热片的SOP8封装以及简单的外部应....
发表于 08-22 08:00 17次 阅读
TP4056锂电池充电器芯片的数据手册免费下载

ADSL模拟前端中低噪声高速运算放大器有哪些应用?

随着上网的人数的迅速增长,传统调制解调器、ISDN提供的低速和易断线的窄带上网方式开始逐渐遭到用户的摈弃。在各种各样的宽...
发表于 08-22 06:49 28次 阅读
ADSL模拟前端中低噪声高速运算放大器有哪些应用?

求推荐工作电压1.5V的定时芯片!

芯片要求: 工作电压1.5V(能1.2V最好); 定时循环芯片,时间可以由外围元件,如电容电阻等决定(例如555定时器,但是它的工...
发表于 08-22 02:52 35次 阅读
求推荐工作电压1.5V的定时芯片!

请问晶闸管控制角该怎么设置?

电路图如图,我想请教各位一下,不能用触发脉冲控制触发角,必须用这个芯片。 这个U1芯片的α角怎么输入,就是怎么设置控制角。...
发表于 08-22 02:13 17次 阅读
请问晶闸管控制角该怎么设置?

通过无线电波供电蓝牙芯片不再需要电池

此前影响各公司制造蓝牙芯片的一个重要因素是电源,而电源通常需要最薄和最小的电池来供电。据The Ve....
发表于 08-21 17:03 44次 阅读
通过无线电波供电蓝牙芯片不再需要电池

三星将推出Galaxy Note10系列的四款漫威超级英雄保护壳

8月21日消息,据外媒GSMArena报道,三星将推出Galaxy Note10系列的漫威超级英雄保....
的头像 PCBworld 发表于 08-21 16:55 169次 阅读
三星将推出Galaxy Note10系列的四款漫威超级英雄保护壳

三星最新发布PM1733系列固态存储硬盘

三星发布全新企业级固态硬盘PM1733,该产品采用了三星自家研发的主控,搭配自家的第五代V-NAND....
发表于 08-21 16:52 24次 阅读
三星最新发布PM1733系列固态存储硬盘

摩托罗拉首款折叠屏手机有望于今年年底在欧洲上市

摩托罗拉RAZR折叠手机年底开售 价格比华为三星便宜
的头像 陈翠 发表于 08-21 16:38 281次 阅读
摩托罗拉首款折叠屏手机有望于今年年底在欧洲上市

广州芯片设计总部大厦地块确认 将投资不少于4.1亿元建设本项目

上个月,广州市公共资源交易中心官网挂出白云区广州设计之都一宗地块出让公告,这个公告当时引起了业界注意....
的头像 半导体动态 发表于 08-21 16:38 411次 阅读
广州芯片设计总部大厦地块确认 将投资不少于4.1亿元建设本项目

景嘉微发布2019年上半年业绩报告 营收和净利润均有所增长

8月20日,景嘉微发布其2019年上半年业绩报告。数据显示,今年上半年景嘉微营收和净利润均有所增长。
的头像 半导体动态 发表于 08-21 16:27 121次 阅读
景嘉微发布2019年上半年业绩报告 营收和净利润均有所增长

3D封装成半导体巨头发展重点 封装技术在台积电技术版图中的重要性已越来越突出

近日,全球第二大晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)宣布,采用12nm FinFET工艺....
的头像 半导体动态 发表于 08-21 16:22 332次 阅读
3D封装成半导体巨头发展重点 封装技术在台积电技术版图中的重要性已越来越突出

荣耀智慧屏的发布,电视芯片的“暗战”已然上演

无论是TCL、创维还是海信这些传统电视厂商,亦或是小米等后来者,在荣耀智慧屏高举高打的局面下,现有电....
的头像 玩转单片机 发表于 08-21 15:13 328次 阅读
荣耀智慧屏的发布,电视芯片的“暗战”已然上演

中国智能手机品牌占东南亚市场份额的62%

9个国家的出货量同比增长2%,至3070万部。中国品牌的市场份额从2018年第二季度的50%升至62....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 08-21 14:53 192次 阅读
中国智能手机品牌占东南亚市场份额的62%

预计2020年全球5G手机的销量将达1.6亿台

据消息,Strategy Analytics最新发布的研究报告《5G智能手机销量:2020年中国将驱....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 08-21 14:40 188次 阅读
预计2020年全球5G手机的销量将达1.6亿台

博为峰致力于将物联网技术和人工智能技术应用于卫浴设备上

智能卫浴设备的质量检测涉及到IOT芯片、人工智能算法、设备交互、人物交互、物物交互、云端控制等多种新....
的头像 倩倩 发表于 08-21 14:33 210次 阅读
博为峰致力于将物联网技术和人工智能技术应用于卫浴设备上

英特尔公司公布了其最新的处理器

英特尔表示,该芯片由位于以色列海法的开发工厂开发,名为Nervana NNP-I或Springhil....
的头像 倩倩 发表于 08-21 14:19 212次 阅读
英特尔公司公布了其最新的处理器

请问在IAR下TI M3芯片26**,36**,86**芯片都可以吗?

如果在IAR下是*6**,是不是意味着TI M3芯片26**,36**,86**芯片都可以?...
发表于 08-21 13:12 54次 阅读
请问在IAR下TI M3芯片26**,36**,86**芯片都可以吗?

ARM新架构很给力,GPU性能提升了20%,但麒麟990无缘用上

ARM早已经公布了下一代芯片架构,即A77的CPU核心和Mali-G77的GPU,这一代架构,在CP....
的头像 机器人博览 发表于 08-21 11:51 810次 阅读
ARM新架构很给力,GPU性能提升了20%,但麒麟990无缘用上

小米智Lot设备第一次采用华为海思芯片,荣耀“抄袭”小米模式

小米以前一直采购国外其他公司的芯片,这是小米智Lot设备第一次采用华为海思芯片。我们不得不佩服雷军,....
的头像 安全自动化 发表于 08-21 11:34 464次 阅读
小米智Lot设备第一次采用华为海思芯片,荣耀“抄袭”小米模式

手机还有多久会取代相机?

1.08亿像素的手机图像传感器已经发布,据说小米要先使用;搭载6400万像素手机传感器的realme....
的头像 MCU开发加油站 发表于 08-21 11:11 1262次 阅读
手机还有多久会取代相机?

搭载华为鸿蒙系统的荣耀智慧屏系列设备首销5分钟破3000台

全球首款搭载华为自研鸿蒙系统的终端荣耀智慧屏系列正式开售。官方数据显示,产品开售仅5分钟,全平台销售....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 08-21 10:00 98次 阅读
搭载华为鸿蒙系统的荣耀智慧屏系列设备首销5分钟破3000台

联发科已经向台积电预定了1.2万片代号为MT6885的5G芯片

需求来自联发科几乎确定可以拿下OPPO、vivo的5G手机订单。同时,联发科正在向华为送样,如果认证....
发表于 08-21 09:28 66次 阅读
联发科已经向台积电预定了1.2万片代号为MT6885的5G芯片

台积电5nm工艺细节曝光

“摩尔定律未死!”这句话如果是Intel公司说的,一点都没有悬念,毕竟摩尔定律的提出者是Intel联....
的头像 电子发烧友网工程师 发表于 08-21 09:07 230次 阅读
台积电5nm工艺细节曝光

SKW100 MIMO WLAN模块的数据手册免费下载

KW100模块符合802.11 a/b/g/n/ac Wi-Fi解决方案,集成了双核MIPS CPU....
发表于 08-21 08:00 16次 阅读
SKW100 MIMO WLAN模块的数据手册免费下载

怎么判断DSP芯片内部FLASH是不是坏了?

我是DM648的芯片,最近遇到问题了,程序下载后不能运行,直接用CCS LOAD也不能运行,是不是FLASH坏了?如何判断?...
发表于 08-21 07:09 55次 阅读
怎么判断DSP芯片内部FLASH是不是坏了?

为什么电源上电会烧毁电源芯片?

今天帮一位客户看电路,产品一上电有很小的概率将电源芯片烧毁,电源芯片是TPS5430降压芯片,输入电压为24V 电流5A 按理说应...
发表于 08-21 05:56 25次 阅读
为什么电源上电会烧毁电源芯片?

请问什么支持MPEG-4芯片型号?

请问支持MPEG-4芯片型号是什么?
发表于 08-21 04:49 22次 阅读
请问什么支持MPEG-4芯片型号?

说手机可以不买苹果,但是平板必须买ipad对吗?

我之前有买过三星的p7510平板,那时候的价格和ipad相差无几。买回来没多久我就后悔了。用起来不甚....
的头像 WPR 发表于 08-20 17:37 484次 阅读
说手机可以不买苹果,但是平板必须买ipad对吗?

一加“黑马级别”的手机产品,会不会成为短命旗舰?

在今年的手机市场里面,有很多小众品牌,不是说这些品牌的成立年限短,而是说这些厂商在手机市场中的作为比....
的头像 WPR 发表于 08-20 17:22 252次 阅读
一加“黑马级别”的手机产品,会不会成为短命旗舰?

FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

2895C具有28 V和5A额定电流限制电源开关,提供过流保护(OCP),过压保护(OVP)和真正反向电流模块(TRCB)来保护系统。具有典型值为27mΩ的低导通电阻,WL-CSP可在4 V至22 V的输入电压范围内工作.FPF2895C支持±10%的电流限制精度,500 mA至2 A的过流范围和± 5%的限流精度,2 A至5 A的过流范围,可选择的OVP,可选择的ON极性和可选的OCP行为等灵活操作,可根据系统要求进行优化。 FPF2895C可用于一个24焊球,1.67 mm x 2.60 mm晶圆级芯片级封装(WL-CSP),间距为0.4 mm。“ 特性 28V / 5A能力 宽输入电压范围:4V~22V 超低导通电阻 Typ。在5V和25°C时为27mΩ 外部RSET的可调电流限制: - 500 mA~5 A 带OV1和OV2逻辑输入的可选OVLO: - 5.95 V±50 mV - 10 V±100 mV - 16.8 V±300 mV - 23 V±460 mV 可选ON极性 可选择的过流行为: - 自动重启模式 - 当前来源模式 真实反向当前阻止 热关机 应用 终端产品 带OVP的USB Vbus电源开关和OCP整合 笔记本 平板电脑 PAD 监视器 ...
发表于 07-31 14:02 6次 阅读
FPF2895C 限流负载开关含OVP和TRCB 28 V 5 A.

FPF2290 过压保护负载开关

0具有低R ON 内部FET,工作电压范围为2.5 V至23 V.内部钳位电路能够分流±100 V的浪涌电压,保护下游元件并增强系统的稳健性。 FPF2290具有过压保护功能,可在输入电压超过OVP阈值时关断内部FET。 OVP阈值可通过逻辑选择引脚(OV1和OV2)选择。过温保护还可在130°C(典型值)下关断器件。 FPF2290采用完全“绿色”兼容的1.3mm×1.8mm晶圆级芯片级封装(WLCSP),带有背面层压板。 特性 电涌保护 带OV1和OV2逻辑输入的可选过压保护(OVP) 过温保护(OTP) 超低导通电阻,33mΩ 终端产品 移动 便携式媒体播放器 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-31 13:02 4次 阅读
FPF2290 过压保护负载开关

FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

39既可作为重置移动设备的计时器,又可作为先进负载管理器件,用于需要高度集成解决方案的应用。若移动设备关闭,保持/ SR0低电平(通过按下开启键)2.3 s±20%能够开启PMIC。作为一个重置计时器,FTL11639有一个输入和一个固定延迟输出。断开PMIC与电池电源的连接400 ms±20%可生成7.5 s±20%的固定延迟。然后负荷开关再次打开,重新连接电池与PMIC,从而让PMIC按电源顺序进入。连接一个外部电阻到DELAY_ADJ引脚,可以自定义重置延迟。 特性 出厂已编程重置延迟:7.5 s 出厂已编程重置脉冲:400 ms 工厂自定义的导通时间:2.3 s 出厂自定义关断延迟:7.3 s 通过一个外部电阻实现可调重置延迟(任选) 低I CCT 节省与低压芯片接口的功率 关闭引脚关闭负载开关,从而在发送和保存过程中保持电池电荷。准备使用右侧输出 输入电压工作范围:1.2 V至5.5 V 过压保护:允许输入引脚> V BAT 典型R ON :21mΩ(典型值)(V BAT = 4.5 V时) 压摆率/浪涌控制,t R :2.7 ms(典型值) 3.8 A /4.5 A最大连续电流(JEDEC ...
发表于 07-31 13:02 8次 阅读
FTL75939 可配置负载开关和复位定时器

NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

4是一款350 mA LDO稳压器。其坚固性使NCV8774可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至18μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8774包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V和3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压高达Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 NCV汽车前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流18μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和ESR稳定性值 确保任何类型的输出电容的稳定性。 车身控制模块 仪器和群集 乘员...
发表于 07-30 19:02 6次 阅读
NCV8774 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

4是一款精密5.0 V或12 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态电流。 输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和12 V输出电压选项,输出精度为2.0%,在整个温度范围内 非常适合监控新的微处理器和通信节点 40 I OUT = 100 A时的最大静态电流 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 350 mV时600 mV最大压差电压电流 在低输入电压下维持输出电压调节。 5.5 V至45 V的宽输入电压工作范围 维持甚至duri的监管ng load dump 内部故障保护 -42 V反向电压短路/过流热过载 节省成本和空间,因为不需要外部设备 AEC-Q100合格 满足汽车资格要求 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 8次 阅读
NCV8674 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq

NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

4C是一款精密3.3 V和5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现22μA的典型静态电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV。内部保护,防止输入电源反向,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664C与NCV4264,NCV4264-2,NCV4264-2C引脚和功能兼容,当需要较低的静态电流时可以替换这些器件。 特性 优势 最大30μA静态电流100μA负载 符合新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 极低压降600 mV(最大值)150 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部元件来实现保护。 5.0 V和3.3V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100 1级合格且PPAP能力 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 信息娱乐,无线电 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 18:02 10次 阅读
NCV8664C LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

0B是一款精密极低Iq低压差稳压器。典型的静态电流低至28μA,非常适合需要低负载静态电流的汽车应用。复位和延迟时间选择等集成控制功能使其成为微处理器供电的理想选择。它具有5.0 V或3.3 V的固定输出电压,可在±2%至150 mA负载电流范围内调节。 特性 优势 固定输出电压为5 V或3.3 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压,最高VBAT = 40 V 维持稳压电压装载转储。 输出电流高达150 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 延迟时间选择 为微处理器选择提供灵活性。 重置输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车网站和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为28 uA的低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100uA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 在空载条件下稳定 将系统静态电流保持在最低限度。...
发表于 07-30 18:02 8次 阅读
NCV8660B LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq

NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现30μA的典型静态接地电流。 NCV8665的引脚与NCV8675和NCV4275引脚兼容,当输出电流较低且需要非常低的静态电流时,它可以替代这些器件。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mv。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V固定输出电压,输出电压精度为2%(3.3 V和2.5 V可根据要求提供) 能够提供最新的微处理器 最大40 A静态电流,负载为100uA 满足100μA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 9次 阅读
NCV8665 LDO稳压器 150 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

4是一款精密5.0 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为150 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现典型的22μA静态接地电流。输出电压精确到±2.0%,在满额定负载电流下最大压差为600 mV 。 内部保护,防止输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 NCV8664的引脚和功能与NCV4264和NCV4264-2兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代这些部件。 特性 优势 负载100μA时最大30μA静态电流 会见新车制造商最大模块静态电流要求(最大100μA)。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 极低压降电压 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3V固定输出电压,2%输出电压精度 AEC-Q100合格 汽车 应用 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 信息娱乐,无线电 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 17:02 4次 阅读
NCV8664 LDO稳压器 150 mA 低Iq

NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

5是一款精密5.0 V和3.3 V固定输出,低压差集成稳压器,输出电流能力为350 mA。仔细管理轻负载电流消耗,结合低泄漏过程,可实现34μA的典型静态接地电流。 内部保护免受输入瞬态,输入电源反转,输出过流故障和芯片温度过高的影响。无需外部元件即可实现这些功能。 NCV8675引脚与NCV4275引脚兼容,当需要非常低的静态电流时,它可以替代该器件。对于D 2 PAK-5封装,输出电压精确到±2.0%,对于DPAK-5封装,输出电压精确到±2.5%,在满额定负载电流下,最大压差为600 mV。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%或2.5% 能够提供最新的微处理器 负载为100uA时最大34uA静态电流 满足100uA最大模块汽车制造商点火关闭静态电流要求 保护: -42 V反向电压保护短路 在任何汽车应用中都不需要外部组件来实现保护。 AEC-Q100 Qualifie d 符合自动资格认证要求 极低压降电压 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 16:02 2次 阅读
NCV8675 LDO稳压器 350 mA 低压差 低Iq 高PSRR

NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2功能和引脚与NCV4264引脚兼容,具有更低的静态电流消耗。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μA 处于待机模式时可以节省电池寿命。 保护: - 42 V反向电压保护短路保护热过载保护 无需外部元件在任何汽车应用中都需要保护。 极低压差 可以在低输入电压下启动时运行。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2% AEC-Q100合格 应用 终端产品 车身和底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 6次 阅读
NCV4264-2 LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

4是一款宽输入范围,精密固定输出,低压差集成稳压器,满载电流额定值为100 mA。输出电压精确到±2.0%,在100 mA负载电流下最大压差为500 mV。 内部保护免受45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 5.0 V和3.3 V固定输出电压和2.0%输出电压精度 严格的监管限制 非常低的辍学 可以在低输入电压下启动时运行。 保护: -42 V反向电压保护短路保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 AEC-Q100合格 符合汽车资格标准 应用 终端产品 车身与底盘 动力总成 发动机控制模块 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 6次 阅读
NCV4264 LDO稳压器 100 mA 高PSRR

NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

4-2C是一款低静态电流消耗LDO稳压器。其输出级提供100 mA,输出电压精度为+/- 2.0%。在100 mA负载电流下,最大压差为500 mV。它具有内部保护,可防止45 V输入瞬变,输入电源反转,输出过流故障和过高的芯片温度。无需外部组件即可启用这些功能。 特性 优势 最大60μA静态电流,负载为100μ 在待机模式下节省电池寿命。 极低压降500 mV( max)100 mA负载电流 可以在低输入电压下启动时运行。 故障保护: -42 V反向电压保护短路/过流保护热过载保护 在任何汽车应用中都不需要外部组件来启用保护。 5.0 V和3.3 V固定输出电压,输出电压精度为2%,在整个温度范围内 AEC-Q100合格 应用 终端产品 发动机控制模块 车身和底盘 动力总成 汽车 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 13:02 16次 阅读
NCV4264-2C LDO稳压器 100 mA 低Iq 高PSRR

NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

2是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8772可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至24μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 Enable功能可用于进一步降低关断模式下的静态电流至1μA。 NCV8772包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 超低静态电流24μA典型 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过...
发表于 07-30 12:02 15次 阅读
NCV8772 LDO稳压器 350 mA 低Iq

NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

0是350 mA LDO稳压器,集成了复位功能,专用于微处理器应用。其坚固性使NCV8770可用于恶劣的汽车环境。超低静态电流(典型值低至21μA)使其适用于永久连接到需要具有或不具有负载的超低静态电流的电池的应用。当点火开关关闭时,模块保持活动模式时,此功能尤其重要。 NCV8770包含电流限制,热关断和反向输出电流保护等保护功能。 特性 优势 固定输出电压为5 V 非常适合为微处理器供电。 2%输出电压上升至Vin = 40 V 通过负载突降维持稳压电压。 输出电流高达350 mA 我们广泛的汽车调节器产品组合允许您选择适合您应用的汽车调节器。 RESET输出 禁止微处理器在低电压下执行未请求的任务。 汽车的NCV前缀 符合汽车现场和变更控制& AEC-Q100资格要求。 低压差 在低输入电压下维持输出电压调节(特别是在汽车起动过程中)。 典型值为21μA的超低静态电流 符合最新的汽车模块要求小于100μA。 热关机 保护设备免受高温下的永久性损坏。 短路 保护设备不会因电流过大而在芯片上产生金属开路。 非常广泛的Cout和E...
发表于 07-30 12:02 6次 阅读
NCV8770 LDO稳压器 350 mA 低Iq

MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

0系列是一种线性稳压器和监控电路,包含许多基于微处理器的系统所需的监控功能。它专为设备和工业应用而设计,为设计人员提供了经济高效的解决方案,只需极少的外部组件。这些集成电路具有5.0 V / 100 mA稳压器,具有短路电流限制,固定输出2.6 V带隙基准,低电压复位比较器,带可编程迟滞的电源警告比较器,以及非专用比较器,非常适合微处理器线路同步。 其他功能包括用于低待机电流的芯片禁用输入和用于过温保护的内部热关断。 这些线性稳压器采用16引脚双列直插式热片封装,可提高导热性。 特性 5.0 V稳压器输出电流超过100 mA 内部短路电流限制 固定2.6 V参考 低压复位比较器 具有可编程迟滞的电源警告比较器 未提交的比较器 低待机当前 内部热关断保护 加热标签电源包 无铅封装可用 电路图、引脚图和封装图...
发表于 07-30 06:02 6次 阅读
MC33160 线性稳压器 100 mA 5 V 监控电路

FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

80是一款用于移动电源应用的低静态电流PMIC。 PMIC包含一个降压,一个升压和四个低噪声LDO。 特性 晶圆级芯片级封装(WLCSP) 可编程输出电压 软启动(SS)浪涌电流限制 可编程启动/降压排序 中断报告的故障保护 低电流待机和关机模式 降压转换器:1.2A,VIN范围: 2.5V至5.5V,VOUT范围:0.6V至3.3V 升压转换器:1.0A,VIN范围:2.5V至5.5V,VOUT范围:3.0V至5.7V 四个LDO:300mA,VIN范围:1.9V至5.5V,VOUT范围:0.8V至3.3V 应用 终端产品 电池和USB供电设备 智能手机 平板电脑 小型相机模块 电路图、引脚图和封装图...
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FAN53880 一个降压 一个升压和四个LDO PMIC

NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

1 / 73产品是280 kHz / 560 kHz升压调节器,具有高效率,1.5 A集成开关。该器件可在2.7 V至30 V的宽输入电压范围内工作。该设计的灵活性使芯片可在大多数电源配置中运行,包括升压,反激,正激,反相和SEPIC。该IC采用电流模式架构,可实现出色的负载和线路调节,以及限制电流的实用方法。将高频操作与高度集成的稳压器电路相结合,可实现极其紧凑的电源解决方案。电路设计包括用于正电压调节的频率同步,关断和反馈控制等功能。这些器件与LT1372 / 1373引脚兼容,是CS5171和CS5173的汽车版本。 特性 内置过流保护 宽输入范围:2.7V至30V 高频允许小组件 最小外部组件 频率折返减少过流条件下的元件应力 带滞后的热关机 简易外部同步 集成电源开关:1.5A Guarnateed 引脚对引脚与LT1372 / 1373兼容 这些是无铅设备 用于汽车和其他应用需要站点和控制更改的ons CS5171和CS5173的汽车版本 电路图、引脚图和封装图...
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NCV5171 升压转换器 280 kHz 1.5 A 用于汽车

NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

是一款线性稳压器,能够提供450 mA输出电流。 NCP161器件旨在满足RF和模拟电路的要求,可提供低噪声,高PSRR,低静态电流和非常好的负载/线路瞬态。该器件设计用于1μF输入和1μF输出陶瓷电容。它有两种厚度的超小0.35P,0.65 mm x 0.65 mm芯片级封装(CSP),XDFN-4 0.65P,1 mm x 1 mm和TSOP5封装。 类似产品:
发表于 07-29 21:02 17次 阅读
NCP161 LDO稳压器 450 mA 超高PSRR 超低噪声

AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5

是一款1 / 2.5英寸CMOS数字图像传感器,有源像素阵列为2592(H)x 1944(V)。它通过滚动快门读数捕获线性或高动态范围模式的图像,并包括复杂的相机功能,如分档,窗口以及视频和单帧模式。它专为低亮度和高动态范围性能而设计,具有线路交错T1 / T2读出功能,可在ISP芯片中支持片外HDR。 AR0521可以产生非常清晰,锐利的数字图像,并且能够捕获连续视频和单帧,使其成为安全应用的最佳选择。 特性 5 Mp为60 fps,具有出色的视频性能 小型光学格式(1 / 2.5英寸) 1440p 16:9模式视频 卓越的低光性能 2.2 m背面照明像素技术 支持线路交错T1 / T2读出以启用ISP芯片中的HDR处理 支持外部机械快门 片上锁相环(PLL)振荡器 集成颜色和镜头阴影校正 精确帧率控制的从属模式 数据接口:HiSPi(SLVS) - 4个车道MIPI CSI-2 - 4车道 自动黑电平校准 高速可配置上下文切换 温度传感器 快速模式兼容2线接口 应用 终端产品 视频监控 高动态范围成像 安全摄像头 行动相机 车载DVR 电路图、引脚图和封装...
发表于 07-29 16:02 48次 阅读
AR0521 CMOS图像传感器 5.1 MP 1 / 2.5